- 訂 貨 號:6MBP75RS120
- 品牌國別:日本
- 產(chǎn)品產(chǎn)地 :日本
- 產(chǎn)品體積:[立方米]
- 產(chǎn)品重量:0.3[千克]
- 產(chǎn)品單位 :個
功率模塊是變頻器和各種電源設(shè)備所配備的主電路核心器件,具有低功耗、高性能、高可靠、一體化等優(yōu)點。富士電機(jī)生產(chǎn)的功率模塊(IGBT、PIM、IPM)產(chǎn)品伴隨著富士變頻器走過了全部過程,所以它具有富士變頻器一樣的優(yōu)良性能,并且較高的性價比被越來越廣闊的領(lǐng)域所認(rèn)同。IGBT-IPM智能功率模塊內(nèi)含驅(qū)動電路且保護(hù)功能齊全。采用IPM模塊制造變頻器可極大地提高整機(jī)的可靠性,且工藝簡單、成本低廉。R系列IPM模塊 主要功能及特點:*內(nèi)含驅(qū)動電路:具軟開關(guān)特性,可控制IGBT開關(guān)時的dv/df和浪涌電壓。用單電源驅(qū)動,無需反向偏壓電源。防止誤導(dǎo)通。關(guān)斷時,IGBT柵極低阻抗接地,防止噪音等引起Von上升而誤導(dǎo)通。每個IGBT的驅(qū)動電路都設(shè)定了最佳驅(qū)動條件;*內(nèi)含各種保護(hù)電路:每個IGBT都具有過流保護(hù)(OC)、負(fù)載短路保護(hù)(SC)、控制電源欠壓保護(hù)(UV),過熱保護(hù)(OH)每個IGNT芯片都有溫度檢測元件,故當(dāng)芯片異常發(fā)熱時能高速實現(xiàn)(TJOH)保護(hù)。